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 具奈米金屬修飾之半導體電極
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I456668
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2012/03/23)
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| ‧ 發明人/PI |
陳浩銘,陳致凱,何佑哲,陳威廷,劉如熹,蔡定平,
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| ‧ 單位 |
化學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係揭露一種用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法,其中半導體電極包含一導電性基材以及一半導體層。半導體層係形成於該導電性基材的表面上。其中該半導體層係經改質而含有分佈於其中之複數個金屬奈米粒子。如此,本發明之電極對光電子的反應速率可顯著提升,且以該電極組成之光電化學電池之光電轉換效率因而得以增加。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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