低雜訊疊接放大器
  ‧ 專利名稱 低雜訊疊接放大器
  ‧ 專利證書號 US 8,040,188 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/04/17)
美國 (2009/06/25)
 
  ‧ 發明人/PI 黃柏智,王暉,
  ‧ 單位 電信工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明有關於一種低雜訊疊接放大器,主要包括有一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第一電感及一第二電感,其中第一電晶體透過第一電感而與第二電晶體相連接,第二電晶體則透過第二電感與第三電晶體相連接,並形成一疊接電路,使用在高頻的時候電感會與電晶體所產生的雜散電容產生共振,藉此將可有效降低疊接放大器在高頻時所產生的雜訊。

The present invention relates to a low noise cascode amplifier comprising a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first inductor, and a second inductor. Furthermore, the first transistor can connect with the second transistor via the first inductor, and the second transistor can connect with the third transistor via the second inductor; thereby, a cascode device can be formed. The inductor and the parasitic capacitances can resonate at high frequency, so that the noise figure of the cascode amplifier can be reduced.





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