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可撓導電結構與可撓電子裝置

刊登日期：2018/11/21

‧ 專利名稱	可撓導電結構與可撓電子裝置
‧ 專利證書號	I641483
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2017/11/08) 中華民國 (2017/12/22)
‧ 發明人	陳文章, 石健忠, 李文亞, 黃承鈞, 張光偉,

技術摘要：

本發明提供之可撓導電結構，包括：聚呋喃二酸乙二酯層；以及導電層，位於聚呋喃二酸乙二酯層上，其中導電層包括交錯的多個金屬奈米線，且金屬奈米線的分佈密度介於0.1mg/cm2至5mg/cm2之間。上述可撓導電結構可用於可撓電子裝置。

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室