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藉由後退火處理調變氮化鎵薄膜應力
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刊登日期:2015/09/10 |
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‧ 專利名稱 |
調變半導體薄膜應力的方法 |
‧ 公開號 |
TW201535522A US20150255308A1
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2014/03/07) 美國 (2014/06/25)
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‧ 發明人/PI |
林清富,鄭宇彣,林禹鍾
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‧ 單位 |
光電工程學研究所
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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