一應用於鍺基金氧半元件之矽披覆層方法A Si passivation method for germanium-based MOS(Metal Oxides Semiconductor) device
刊登日期:2022/02/08
  ‧ 專利名稱 Semiconductor device and manufacturing method thereof (A Si passivation method for germanium-based MOS(Metal Oxides Semiconductor) device)
  ‧ 專利證書號 US11749738B2
11,245,023
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2020/07/31)
美國 (2022/02/07)
 
  ‧ 發明人/PI 洪銘輝,郭瑞年,萬獻文,楊博宇,鄭伊婷,洪毓傑,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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