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電子工程學研究所 - 劉致為
	專業技術：矽鍺(碳)異質接面電晶體與應變場效電晶體、金氧半發光二極體與偵測器、金氧半元件穩定度、快熱化學汽相沈積、快熱氧化、快熱退火與晶圓鍵結製程與設備、薄膜電晶體之穩定度模型、太陽電池、矽/鍺雷射

研究介紹

◎研究領域摘要

(1) 應變矽CMOS以及矽鍺異質接面電晶體
在元件不斷縮小的情況下，傳統的CMOS製程已經沒辦法符合ITRS Roadmap的要求，而目前Strained-Si的技術已經成為工業界中最廣為應用的技術，因為載子遷移率的提升，元件的操作速度可以提高10~20%，使得奈米級元件的效能都有顯著的提升。而我們也正在研究利用Package/Mechanical Strain的技術使得電路的特性能達到最佳化的設計。

(2) CMOS光電元件
影像偵測器(Photodetector)可用於連續的影像紀錄，目前普遍地被使用在夜視鏡、錄影機、以及數位照相機上面。一般的數位影像偵測都是使用電容藕合元件(Charge Coupled Device, CCD)，但是因為CCD的訊號必須逐一循序(Sequential)輸出，降低了影像紀錄的速度。而我們發明了第一個MIS Tunneling LED和Photodetector，是使用僅厚數奈米的極薄氧化層，使得電流可以穿透(Tunneling)閘極，而直接從閘極讀取光電流。使用上不但簡單、快速，而且製造成本更可以大幅地縮減(已獲得美國及台灣專利)。

(3) Ge FET之研究
因為Ge的載子遷移率比Si來得高，所以很多Ge相關的文獻都已經發表，但是因為氧化鍺較不穩定，所以沒辦法做成元件來使用。我們採用了一種新型的結構做出了第一個Ge FET，不但有很低的缺陷密度，並且由於應變造成了電洞遷移率的大幅提升。相關的研究已發表在國際會議當中。

(4) 元件的模擬以及模型化(Modeling)
主要從事研究矽鍺異質接面電晶體(HBT)、應變矽和矽鍺異質接面光電晶體(HPT)的模型化與參數淬取，而在射頻以及數位電路設計方面，也在研發相關的模型。

(5) 快熱製程(Rapid Thermal Process)
除了已有的RTA、RTO、RTCVD之機台以及研究之外，我們也在研究新的快熱製程，並且已經研發出一種新型的wafer bonding技術，不但大幅度地節省成本，在uniformity方面也是非常好，相關的研究已經在最近的國際會議之中發表。

(6) CMOS/SiGe製程之電路設計
主要是RF電路的研究，包含了功率放大器(PowerAmplifier)以及轉阻放大器(Trans-impedance Amplifier)的設計，並使用Strained-Si之理論來驗證電路的效能確實有顯著的提升。目前也正從事Image Sensor相關之研究。

◎ 專利

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